ネクスファイ・テクノロジー株式会社では次世代パワーデバイスである炭化珪素（SiC）半導体デバイスを活用し、高電圧機器の開発・生産を行っています。
高電圧スイッチングモジュール
耐電圧1 kVクラスのSiCトランジスタを独自技術により直並列接続し、10 kVをこえる高電圧スイッチングモジュールを実現しました。
| 大電流パルサー | 1,000 Aをこえる電流パルスを1 kpps以上の繰り返しで出力します |
| 高繰り返しスイッチ | 50 kVをこえる高電圧を100 kHz以上でスイッチングします |
| 高スルーレートパルサー | 200 kV/μs以上のスルーレートを有しており、絶縁試験等にも利用できます |
| 直流遮断器 | 50 kVをこえる直流高電圧を直接遮断することができます |
高電圧直流電源
高周波SiCインバータに独自設計のパルストランスを接続し、独自のSiCダイオードモジュールを用いたコッククロフトウォルトン回路により超高電圧まで昇圧します。5 kVのプラズマ用電源から最大300 kVの加速器用電源まで生産しています。
| 高効率電源 | SiCの性能を引き出すことにより電力利用効率が95%を越えています |
| 小型化 | SiCの優れたスイッチング能力により従来の1/10以下のサイズを実現しました |
| 接地筐体 | 独自の電界緩和技術により接地された筐体内へ高電圧部を格納しました |
| 十分な短絡耐量 | 負荷閃絡が発生した場合にも故障することなく速やかに再起動します |